Lecteur spintronique de 7e génération

Tout commence par un phénomène de mécanique quantique.

C'est ce qu'on appelle la magnétorésistance à effet tunnel. Cela se produit lorsque la résistance électrique d'une jonction tunnel magnétique (MTJ) change en fonction de l'orientation relative des couches magnétiques séparées par une barrière isolante. L'exploitation de ce phénomène permet des lectures magnétiques haute résolution, cruciales pour la lecture précise de bits plus petits et densément empilés.

Ces couches convertissent les signaux magnétiques des bits enregistrés en signaux électriques pour la récupération des données.

La pile est construite par dépôt multichambre.

Ce processus de fabrication s'effectue sous vide en continu pour éviter toute contamination, avec un contrôle précis de l'épaisseur de chaque couche. Les matériaux et l'épaisseur des couches assurent la stabilité thermique. La couche barrière d'oxyde de magnésium de la jonction tunnel est soumise à une oxydation contrôlée pour une sensibilité optimale.